Использование контактной фотолитографии

Использование контактной фотолитографии

Подтравливание слоя металла и образование неровных краев в процессе химического травления чаще всего не превышают половины толщины пленки. Обычно с помощью этого метода изготовляют тонкопленочные элементы с минимальными размерами до 9- 10 мкм и только в некоторых случаях, используя эффект подтравливания, удается получить расстояние между слоями порядка нескольких микрон: подложка; подложка с резистивным слоем; подложка с контактами, нанесенными через «свободную» маску; нанесение Фоторезиста; экспонирование через фотошаблон; Тонкопленочный резистор с контактными площадками после селективного травления и удаления фоторезисту. При использовании контактной фотолитографии фото шаблон с помощью специальной установки совмещения и экспонирования плотно прижимают к покрытой слоем фоторезиста подложке, после чего экспонируют пучком параллельных лучей света в масштабе 1 : 1. При экспонировании в случае неплотного прижатия фотошаблона к подложке, а также искривления поверхности фотошаблона и подложки свет проникает под непрозрачные области фотошаблона и рассеивается там, что вызывает расширение или сужение изображения на фоторезисте по сравнению с изображением на фотошаблоне. При экспонировании в случае неплотного прижатия фотошаблона к подложке, а также искривления поверхности фотошаблона и подложки свет проникает под непрозрачные области фотошаблона и рассеивается там, что вызывает расширение или сужение изображения на фоторезисте по сравнению с изображением на фотошаблоне.

1 Star2 Stars3 Stars4 Stars5 Stars (No Ratings Yet)
Загрузка ... Загрузка ...

Оставьте ответ

Вы можете использовать эти HTML теги и атрибуты <a href="" title=""> <abbr title=""> <acronym title=""> <b> <blockquote cite=""> <cite> <code> <del datetime=""> <em> <i> <q cite=""> <strike> <strong>

Подтвердите, что Вы не бот — выберите человечка с поднятой рукой: