Действие внутренней связи

Действие внутренней связи

Действие внутренней связи сводится к тому, что при отпирании (насыщении) входным сигналом транзистора VTX (или VTA) запирание транзистора VT2 (или VT3) происходит благодаря падению Напряжения на диоде VDX (или VD2) ОТ тока через нагрузку, а отпирание транзистора VT3 (или VT2) обеспечивается за счет протекания соответствующей части тока нагрузки через его эмиттерный переход и резистор /?б2 (или /?б1). К достоинствам таких усилителей можно отнести возможность непосредственной связи с предшествующим каскадом (например, широтноимпульсным модулятором), отсутствие сквозных токов при переключениях, возможность динамического торможения при управлении двигателем постоянного тока. Вместе с тем применение подобных усилителей сдерживается их недостаточной экономичностью, обусловленной потерями мощности в элементах усилителя, в первую очередь, в резисторах Rc. В свою очередь выбор этих резисторов предопределяет Работу транзисторов VTS и VT3 в режиме ненасыщенного (для усилителя это имеет место всегда) или насыщенного ключа и, следовательно, величину потерь мощности в коллекторной цепи. В свою очередь выбор этих резисторов предопределяет Работу транзисторов VTS и VT3 в режиме ненасыщенного (для усилителя это имеет место всегда) или насыщенного ключа и, следовательно, величину потерь мощности в коллекторной цепи.

1 Star2 Stars3 Stars4 Stars5 Stars (No Ratings Yet)
Загрузка ... Загрузка ...

Оставьте ответ

Вы можете использовать эти HTML теги и атрибуты <a href="" title=""> <abbr title=""> <acronym title=""> <b> <blockquote cite=""> <cite> <code> <del datetime=""> <em> <i> <q cite=""> <strike> <strong>

Подтвердите, что Вы не бот — выберите человечка с поднятой рукой: