Алгоритм для вычисления результирующего профиля проявления фоторезиста

Алгоритм для вычисления результирующего профиля проявления фоторезиста

Поскольку поглощение активного света в слое фоторезиста достигает значительной величины (так, например, поглощение света Х=0,365 мкм в слое фоторезиста Толщиной 1,5 мкм достигает 70%), то при этом фоторезист на различной глубине экспонируется пучком света различной мощности. Свойства фоторезиста и в первую очередь его линейный коэффициент поглощения существенно зависят от дозы облучения, полученной фоторезистом, к рассматриваемо1му моменту времени. Кроме тото, существенное влияние оказывает Свет, отраженный от подложки. Предложен алгоритм для вычисления результирующего профиля проявления фоторезиста с учетом отражения света от подложки и меняющегося в процессе экспонирования коэффициента поглощения.

6-7 Электронолитография Наблюдаемое за последние годы резкое уменьшение размеров интегральных микросхем и приборов функциональной электроники требует получения элементов субмикронных размеров (ЭСР) на металлических, диэлектрических и полупроводниковых структурах большой площади. Электронолитография Наблюдаемое за последние годы резкое уменьшение размеров интегральных микросхем и приборов функциональной электроники требует Получения элементов субмикронных размеров (ЭСР) на металлических, диэлектрических и полупроводниковых структурах большой площади.

1 Star2 Stars3 Stars4 Stars5 Stars (No Ratings Yet)
Загрузка ... Загрузка ...

One comment to Алгоритм для вычисления результирующего профиля проявления фоторезиста

  • Радомир Воробьев  says:

    Между нами говоря, я бы обратился за помощью к модератору.

Оставьте ответ

Вы можете использовать эти HTML теги и атрибуты <a href="" title=""> <abbr title=""> <acronym title=""> <b> <blockquote cite=""> <cite> <code> <del datetime=""> <em> <i> <q cite=""> <strike> <strong>

Подтвердите, что Вы не бот — выберите человечка с поднятой рукой: